采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS2薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS2薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS2薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析，得到了制备MoS2薄膜的最佳工艺参数。发现溅射温度较高或较低结晶度都很差，在较低的溅射温度下样品的XRD衍射峰不明显。而当温度为250 ℃时，样品的XRD衍射峰较多，结晶度较好。根据正交试验法得出溅射温度对MoS2的结晶效果起着至关重要的作用，其次是氩气流量。当溅射温度为250 ℃，氩气流量为6 mL/min，溅射时间为30 min，溅射功率为300 W或400 W时，MoS2膜的结晶度较好。在这个条件下制备的膜较厚，但为以后的实验指明了方向。保持溅射温度、溅射功率和氩气流量不变，通过减少时间成功制备了厚度为58.9 nm的薄膜。

采用磁控溅射方法在K9 光学玻璃基片上沉积一定厚度的铜薄膜，通过X 射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、光栅光谱仪等检测铜薄膜结构、光吸收性质。检测结果表明：所制备的Cu 膜结晶度较好；Cu 膜的吸收波段较宽，半峰全宽为201 nm，但光栅光谱仪所得的吸收谱与紫外可见光分度计所得吸收谱存在差异：对同一金属薄膜，由光栅光谱仪得到的吸收光谱比由紫外可见分光光度计得到的吸收光谱，峰位产生了“红移”，且峰数不同，原因是光源的不同及实验仪器分辨率的不同。

利用第一性原理密度泛函的方法对钠原子吸附闭口碳纳米管的场发射性质进行了综合研究，建立了(5，5)闭口碳纳米管吸附不同数量钠原子的吸附模型，并对加电场和未加电场下的模型进行了几何结构分析以及吸附能、离化能、局域态密度、Mulliken电荷分布的计算和分析。计算结果表明吸附能随着电场的增加而变大，吸附稳定性增强。吸附钠原子的碳纳米管在施加外电场后，费米能级附近的局域态密度随着钠原子的吸附而增加。钠原子在碳纳米管中的吸附可以在其尖端表面产生诱导偶极矩导致电荷由碳纳米管向钠原子大量转移，从而驱使电子由碳纳米管尖端发射到真空中，提高了碳纳米管的场发射性能。

利用第一性原理密度泛函的方法对氢分子吸附开口碳纳米管的场发射性质进行了综合研究，建立了（5，5）开口碳纳米管吸附不同氢分子数量的吸附模型，并对加电场和未加电场下的模型进行了吸附能、最高占有分子轨道最低未占分子轨道(HOMO-LUMO)帯隙及诱导偶极矩的计算和分析。计算结果表明吸附能随着电场的增加而变大，吸附稳定性增强。吸附氢分子的碳纳米管在施加外电场后，HOMO-LUMO帯隙明显减小，费米能级附近的局域态密度随着氢分子的吸附而增加。氢分子对碳纳米管的吸附可以在其尖端表面产生诱导偶极矩，导致电荷由碳纳米管向氢分子大量转移，从而驱使电子由碳纳米管尖端发射到真空中，提高了碳纳米管的场发射性能。