采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS2薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS2薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS2薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析，得到了制备MoS2薄膜的最佳工艺参数。发现溅射温度较高或较低结晶度都很差，在较低的溅射温度下样品的XRD衍射峰不明显。而当温度为250 ℃时，样品的XRD衍射峰较多，结晶度较好。根据正交试验法得出溅射温度对MoS2的结晶效果起着至关重要的作用，其次是氩气流量。当溅射温度为250 ℃，氩气流量为6 mL/min，溅射时间为30 min，溅射功率为300 W或400 W时，MoS2膜的结晶度较好。在这个条件下制备的膜较厚，但为以后的实验指明了方向。保持溅射温度、溅射功率和氩气流量不变，通过减少时间成功制备了厚度为58.9 nm的薄膜。

本文介绍了一种商用的表面增强拉曼芯片(Klarite), 并对其表面形貌、拉曼活性进行了表征和测试分析。Klarite芯片由于独特的倒金字塔形设计使得其具有较好的拉曼活性、稳定性和重现性, 为生命科学和分析化学研究提供了有力的研究工具。此外, 我们对Klarite芯片在外电磁场作用下的表面电场分布进行了模拟, 发现一个结构单元中存在多个“热点”区域, 并且最大电磁场的增强随着倒置金字塔的高度h改变而变化, 当h为600 nm时, 电磁场增强达到最大, 约为25倍。

本文利用电磁场数值模拟方法研究了分布矩形孔阵列的“金属-电介质-金属”三明治渔网电磁超介质在其左手通带发生的超常透射现象和不同模式激发下的电场增强效应。结果证实左手通带紧邻的超常光学传输峰源于波导共振模式, 利用超常传输效应可以有效降低电磁超介质的损耗, 提高左手性能；波导共振模和左手通带对应的反对称磁模能够分别在孔洞和金属夹层区域激发超过11倍的增强电场, 因此渔网电磁超介质结构在表面增强光谱和传感等方面也具有潜在应用价值。

针对固定间隙的上海深紫外自由电子激光(SDUV-FEL)混合型波荡器的端部,用Radia程序进行了模拟计算.在端部不加任何电磁线圈补偿的情况下,通过减小端部磁铁、磁极的体积和变动端部磁极位置的方法对波荡器磁场进行了优化,优化以后波荡器横向磁场的边缘场强度降到5×10^-4 T(距离端部磁块边缘10 mm处),边缘场波形没有了明显突起,优化后的横向磁场的一次积分曲线和二次积分曲线都有很大改善,端口处的一次积分值、二次积分值接近于零.

纯永磁波荡器由多个磁块组成,磁块的剩磁离散性会引起波荡器磁场误差,从而影响储存环工作状态和自发辐射谱质量.在波荡器磁块安装之前,使用模拟退火法对磁块进行组合排序优化,可以使峰值场强误差降低到10^-4量级以下,磁场一次积分降低到10^-6 T·m量级,二次积分降低到10^-6 T·m²量级,优化结果不依赖于初始状态的选择.给出优化的详细过程,提出了根据磁块剩磁快速计算波荡器峰值场强误差和积分场的方法.