1 1.西南科技大学 环境友好能源材料国家重点实验室, 绵阳 621010
2 2.西南科技大学 核废物与环境安全国防重点学科实验室, 绵阳 621010
高熵陶瓷是近年来陶瓷材料研究的热点, 制备性能优异的高熵陶瓷是陶瓷材料的发展趋势。本研究采用燃烧法结合真空烧结制备出高熵透明陶瓷。测试结果显示燃烧法制备高熵(La0.2Nd0.2Sm0.2Gd0.2Er0.2)2Zr2O7粉体的平均晶粒尺寸为8 nm, 高熵粉体为无序的缺陷萤石结构。在真空炉中不同温度烧结的高熵陶瓷具有有序的烧绿石结构。烧结温度对高熵透明陶瓷的在线透过率影响不大, 最大透过率为74%(@1730 nm), 其透过率光谱中出现大量吸收峰。随着烧结温度的升高, 陶瓷的体积密度有所上升, 晶粒尺寸增大, 而维氏硬度逐渐降低。
西安交通大学 教育部重点实验室, 电子材料研究所和国际电介质中心, 西安 710049
在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下, 采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明, 所制备的BZN薄膜拥有非晶态结构, ZnO薄膜具有c轴择优取向, 在基片温度为500℃时, 获得低的漏电流(10-7A/cm2), 比RT时的漏电流(10-4A/cm2)低三个数量级。将所制备的ZnO薄膜和BZN薄膜分别作为ZnO-TFT的有源层和栅绝缘层, 研究表明, 在基片温度为500℃时, 提高了器件性能, 所取得的亚阈值摆幅(470mV/dec.)是RT时的亚阈值摆幅(1271mV/dec.)的三分之一; 界面态密度(3.21×1012cm-2)是RT时的界面态密度(1.48×1013cm-2)的五分之一。
铋基焦绿石BZN薄膜 ZnO基薄膜晶体管 射频磁控溅射 界面态密度 亚阈值摆幅 pyrochlore BZN films ZnO-TFT RF magnetron sputtering surface state density sub-threshold swing
河南大学物理与电子学院 光伏材料省重点实验室, 河南 开封475004
采用溶胶-凝胶法合成Ln2Sn2O7 ∶Er3+(Ln=La, Gd, Y)纳米晶。通过X射线衍射和场发射扫描电子显微镜测试了样品的晶体结构和形貌, 同时对样品的上转换发光性能进行了测试。结果表明: 在980 nm连续激发光的激发下, 样品主要表现为绿光发射。发射中心在528, 549 nm的绿光和672 nm处的红光发射分别对应Er3+离子的4S3/2 →4I15/2、2H11/2 →4I15/2和 4F9/2→4I15/2跃迁。以La2Sn2O7∶Er3+纳米晶为例, Er3+离子的摩尔分数为7%、退火温度为1 150 ℃是其制备的最佳条件, 此时其各个发射峰的强度最高。对La2Sn2O7∶Er3+的发光强度与激发功率关系的研究表明, 其绿光和红光发射均为双光子过程。激发光吸收和能量转移是La2Sn2O7∶Er3+纳米晶上转换发光的主要机制。
上转换 溶胶-凝胶法 稀土锡酸镧 烧绿石 up-conversion sol-gel method Ln2Sn2O7 ∶Er3+ pyrochlore
