鱼眼镜头优势在于拥有极大的视场, 可以捕获更多信息。如今鱼眼镜头在安保安防、摄影、航空航天等方面得到广泛应用, 尤其在**和**中的地位不可替代。本文首先概括了鱼眼镜头的成像原理和发展历程, 分析了现代鱼眼镜头初始结构设计中的光线溢出以及与镜面无交点等常见的关键问题和已有的思路, 介绍了现代鱼眼镜头的应用和发展趋势, 最后讨论了鱼眼镜头目前发展中存在的一些设计瓶颈以及鱼眼镜头未来的发展方向。
鱼眼镜头 光线溢出 初始结构 fisheye lens, overflow of light, initial structure
1 西南交通大学 信息科学与技术学院, 成都 611756
2 西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756
随着芯片的集成度越来越高, 物理设计布局阶段的拥塞问题越发严重。提出了一种基于溢出值的局部拥塞消除技术, 根据溢出值选择出拥塞密度最高的拥塞区域, 然后基于模拟退火算法对该区域内的高引脚单元设置合适大小的隔离区域, 以缓解局部拥塞。将提出的方法应用于SMIC 180 nm工艺的四万门设计和SMIC 55 nm工艺的七千门设计进行优化。相较于Synopsys的ICC工具的拥塞优化结果, 提出的方法使设计规则违例下降48%, 短路违例下降52%, 总线长缩短5%, 比现有文献的布线质量更好。
设计自动化 物理设计 布局 拥塞 溢出 启发式算法 design automation physical design placement congestion overflow heuristic algorithm
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
2 中国科学院大学, 北京 100049
提出一种基于标记的混合溢出树(SHSPT)特征匹配算法, 用于遥感图像的目标匹配识别。针对特征数据建立和预处理, 提出了基于中心点的数据分割方法, 通过定义数据密集区域的中心, 舍去边缘稀疏数据, 提取出分割后的数据。进行特征匹配时, 使用二进制数组表示数据空间, 标记分割后的特征向量数据, 通过比特操作计算特征向量间的距离, 缩短计算时间。最后对特征匹配方法进行改进, 采用待匹配特征距离的均值代替尺度不变特征变换(SIFT)匹配算法的次临近特征距离, 从而得到更多的匹配点。实验证明, 基于标记的混合溢出树特征匹配算法占用内存空间比传统的混合溢出树算法减少约68%, 匹配准确度与原算法接近, 匹配时间平均缩短了约32.8%, 解决了航天遥感图像数据量大, 特征维数较高, 匹配识别时间长, 占用计算机内存大等问题。
遥感目标识别 特征标记 数据分割 图像匹配 混合溢出树算法 remote target recognition feature mark data partition image matching hybrid spill-tree algorithm
1 合肥工业大学 特种显示技术教育部重点实验室 特种显示技术国家工程实验室现代显示技术省部共建国家重点实验室，安徽 合肥 230009
2 合肥工业大学 仪器科学与光电工程学院，安徽 合肥 230009
3 合肥工业大学 光电技术研究院，安徽 合肥 230009
为了解决现有调光算法存在节能率低和溢出失真率高的问题，本文提出了一种高节能、低溢出率的动态调光算法。在综合考虑液晶显示器中背光亮度和像素亮度对最终显示效果存在非等效影响的实际情况下，将输入图像灰阶亮度作一定的预处理后再进行图像背光亮度计算，并且采用带有权重的线性调节方式来进行液晶像素的补偿计算。与常见调光算法的平均节能119%和平均溢出率1234%相比，本文算法的平均节能可达2215%，而溢出失真率降低至995%。在工程样机上对50幅图像进行了实际测试，与采用常见调光算法的显示器相比，采用本文调光算法的显示器在获得更高节能率的同时，保持了较好的显示质量，没有明显的亮度下降。
调光技术 背光 节能率 溢出率 dimming technology backlight power-saving overflow rate
1 中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083
2 中国科学院大学, 北京 100049
CCD接收到过强信号时会出现电荷溢出现象，对于无溢出漏级结构的CCD，需合理设置成像系统参数避免出现电荷溢出。针对滨松帧转移型CCD 对非强目标成像时出现的电荷溢出现象，分析其原因是由行读出过程中成像区长时间电荷积累而导致的，通过积分之前的多次帧转移，有效解决了电荷溢出问题，并基于积分球实验进一步论证了原因及解决方法。
光电子学 电荷溢出 成像控制 积分球实验 激光与光电子学进展
2014, 51(8): 080401
传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时，会产生光晕现象; 纵向溢出漏结构的出现，满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵向溢出漏结构及其电势进行分析，发现抗晕势垒是纵向溢出漏结构能否实现抗晕功能的关键，决定了抗晕能力的强弱，而抗晕势垒受p阱注入剂量、埋沟注入剂量的影响。通过工艺仿真，确定了纵向溢出漏结构的p阱、埋沟工艺条件，根据仿真结果制造的纵向抗晕CCD抗晕能力大于100倍。
抗晕能力 纵向溢出漏 仿真 CCD charge-coupled device(CCD) anti-blooming capacity vertical overflow drain simulation
基于Kurtz粉末倍频测试原理,在固定的基频光波入射方向下,通过改变探头相对于样品的纵向距离,对粉末倍频(SHG)纵向位置效应进行了研究。实验结果及数据拟合表明,在一定的粉末粒径和粉末堆积厚度下,碘酸钾晶体粉末和尿素晶体粉末的相对倍频光I2ω均随探测距离S成指数衰减,碘酸钾粉末与尿素粉末的二次谐波信号的相对大小不随探测距离变化,且在5.8%的标准误差范围内,测得碘酸钾粉末倍频效应是尿素粉末倍频效应的6.8倍。
粉末倍频 纵向探测距离 信号溢出 powder SHG longitudinal detection distance signal overflow
强光照射时，CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象，严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光晕现象的抗晕CCD，详细阐述了其抗晕结构的设计和制作方法，采用该方法制作的CCD能够达到500倍的抗晕能力。
光晕 横向抗晕 横向溢出漏 抗晕势垒 blooming lateral antiblooming lateral overflow drain antiblooming barrier
国防科学技术大学光电科学与工程学院, 长沙 410073
在激光辐照行间转移CCD相机的实验中发现了关于CCD串扰效应的一个新现象, 即在串扰线上出现缺口, 该缺口紧邻主光斑上侧且随光强增大而减小。基于行间转移面阵CCD的构造和工作过程, 利用CCD串扰效应的一种新机制对现象作出了合理的解释。串扰线的形成依赖于在垂直转移动作过程中CCD信号积分势阱中的载流子向垂直转移CCD寄存器中的溢出。串扰线上缺口的出现则是由于CCD的信号积分势阱被读出转移动作清空后再次填满需要经过一定时间, 该时间内无信号电荷溢出至转移沟道；读出转移清空存储势阱的时刻是构成主光斑的主体信号电荷按正常时序进入垂直转移CCD寄存器的时刻, 故缺口紧邻主光斑的上侧；光强越大, 光电子再次填满存储势阱乃至溢出形成串扰线所需要的时间越短, 则缺口越小。
激光 串扰线缺口 溢出中断 耦合转移 laser CCD CCD gap on crosstalk line pause of overflowing coupled transfe
华南师范大学 光电子材料与技术研究所,广州 510631
通过分析影响电子溢出的因素，建立多量子阱的物理模型，得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响，认为极化效应使能带弯曲，电子溢出量子阱，溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响，并为减小溢出电流提供了思路.
多量子阱 溢出电流 极化效应 MQW Overflow current Polarization
