玻璃溢流下拉法成型工艺中玻璃组分与溢流砖的匹配性至关重要。通过静态侵蚀实验和界面分析，研究不同组分锂铝硅玻璃对锆英石溢流砖的侵蚀性。实验结果表明:锂铝硅玻璃组成中氧化钠含量对锆英石溢流砖的侵蚀影响显著，氧化钠含量越高，锆英石分解温度越低; 相同的玻璃组成，实验温度越高，玻璃对溢流砖的侵蚀越严重。
锂铝硅玻璃 锆英石溢流砖 侵蚀 氧化钠 lithium aluminosilicate glass zircon overflow refractory erosion sodium oxide
鱼眼镜头优势在于拥有极大的视场, 可以捕获更多信息。如今鱼眼镜头在安保安防、摄影、航空航天等方面得到广泛应用, 尤其在**和**中的地位不可替代。本文首先概括了鱼眼镜头的成像原理和发展历程, 分析了现代鱼眼镜头初始结构设计中的光线溢出以及与镜面无交点等常见的关键问题和已有的思路, 介绍了现代鱼眼镜头的应用和发展趋势, 最后讨论了鱼眼镜头目前发展中存在的一些设计瓶颈以及鱼眼镜头未来的发展方向。
鱼眼镜头 光线溢出 初始结构 fisheye lens, overflow of light, initial structure
中国建筑材料科学研究总院有限公司, 建材行业特种玻璃制备与加工重点实验室, 北京 100024
与传统的钠钙硅玻璃和高铝玻璃相比, 锂铝硅玻璃具有网络结构致密、弹性模量较高和适宜两步法化学钢化等特点, 被视为第三代高强玻璃基板, 可用作电子信息产品盖板、航空透明器件以及舰船、特种车辆的观察窗口等。目前, 锂铝硅玻璃的研究主要涉及: (1)探究锂铝硅玻璃的“组成-结构-性能”本构关系, 为设计优化高性能锂铝硅玻璃提供理论指导和性能预测; (2)改进现有溢流和浮法成型方法和装备, 满足大尺寸、多厚度和高尺寸精度锂铝硅玻璃成型需要; (3)研究锂铝硅玻璃的两步法化学增强方法, 解决表面压应力和应力层深度同步提升难题, 显著提高玻璃强度、硬度和抗跌落性能。本文基于上述三个方面综述了锂铝硅玻璃的国内外研究进展。
锂铝硅玻璃 网络结构 力学性能 溢流法成型 浮法成型 化学钢化 lithium aluminum silicate glass network structure mechanical property float forming overflow forming chemical strengthening
1 西南交通大学 信息科学与技术学院, 成都 611756
2 西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756
随着芯片的集成度越来越高, 物理设计布局阶段的拥塞问题越发严重。提出了一种基于溢出值的局部拥塞消除技术, 根据溢出值选择出拥塞密度最高的拥塞区域, 然后基于模拟退火算法对该区域内的高引脚单元设置合适大小的隔离区域, 以缓解局部拥塞。将提出的方法应用于SMIC 180 nm工艺的四万门设计和SMIC 55 nm工艺的七千门设计进行优化。相较于Synopsys的ICC工具的拥塞优化结果, 提出的方法使设计规则违例下降48%, 短路违例下降52%, 总线长缩短5%, 比现有文献的布线质量更好。
设计自动化 物理设计 布局 拥塞 溢出 启发式算法 design automation physical design placement congestion overflow heuristic algorithm
1 合肥工业大学 特种显示技术教育部重点实验室 特种显示技术国家工程实验室现代显示技术省部共建国家重点实验室，安徽 合肥 230009
2 合肥工业大学 仪器科学与光电工程学院，安徽 合肥 230009
3 合肥工业大学 光电技术研究院，安徽 合肥 230009
为了解决现有调光算法存在节能率低和溢出失真率高的问题，本文提出了一种高节能、低溢出率的动态调光算法。在综合考虑液晶显示器中背光亮度和像素亮度对最终显示效果存在非等效影响的实际情况下，将输入图像灰阶亮度作一定的预处理后再进行图像背光亮度计算，并且采用带有权重的线性调节方式来进行液晶像素的补偿计算。与常见调光算法的平均节能119%和平均溢出率1234%相比，本文算法的平均节能可达2215%，而溢出失真率降低至995%。在工程样机上对50幅图像进行了实际测试，与采用常见调光算法的显示器相比，采用本文调光算法的显示器在获得更高节能率的同时，保持了较好的显示质量，没有明显的亮度下降。
调光技术 背光 节能率 溢出率 dimming technology backlight power-saving overflow rate
1 中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083
2 中国科学院大学, 北京 100049
CCD接收到过强信号时会出现电荷溢出现象，对于无溢出漏级结构的CCD，需合理设置成像系统参数避免出现电荷溢出。针对滨松帧转移型CCD 对非强目标成像时出现的电荷溢出现象，分析其原因是由行读出过程中成像区长时间电荷积累而导致的，通过积分之前的多次帧转移，有效解决了电荷溢出问题，并基于积分球实验进一步论证了原因及解决方法。
光电子学 电荷溢出 成像控制 积分球实验 激光与光电子学进展
2014, 51(8): 080401
传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时，会产生光晕现象; 纵向溢出漏结构的出现，满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵向溢出漏结构及其电势进行分析，发现抗晕势垒是纵向溢出漏结构能否实现抗晕功能的关键，决定了抗晕能力的强弱，而抗晕势垒受p阱注入剂量、埋沟注入剂量的影响。通过工艺仿真，确定了纵向溢出漏结构的p阱、埋沟工艺条件，根据仿真结果制造的纵向抗晕CCD抗晕能力大于100倍。
抗晕能力 纵向溢出漏 仿真 CCD charge-coupled device(CCD) anti-blooming capacity vertical overflow drain simulation
基于Kurtz粉末倍频测试原理,在固定的基频光波入射方向下,通过改变探头相对于样品的纵向距离,对粉末倍频(SHG)纵向位置效应进行了研究。实验结果及数据拟合表明,在一定的粉末粒径和粉末堆积厚度下,碘酸钾晶体粉末和尿素晶体粉末的相对倍频光I2ω均随探测距离S成指数衰减,碘酸钾粉末与尿素粉末的二次谐波信号的相对大小不随探测距离变化,且在5.8%的标准误差范围内,测得碘酸钾粉末倍频效应是尿素粉末倍频效应的6.8倍。
粉末倍频 纵向探测距离 信号溢出 powder SHG longitudinal detection distance signal overflow
强光照射时，CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象，严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光晕现象的抗晕CCD，详细阐述了其抗晕结构的设计和制作方法，采用该方法制作的CCD能够达到500倍的抗晕能力。
光晕 横向抗晕 横向溢出漏 抗晕势垒 blooming lateral antiblooming lateral overflow drain antiblooming barrier
华南师范大学 光电子材料与技术研究所,广州 510631
通过分析影响电子溢出的因素，建立多量子阱的物理模型，得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响，认为极化效应使能带弯曲，电子溢出量子阱，溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响，并为减小溢出电流提供了思路.
多量子阱 溢出电流 极化效应 MQW Overflow current Polarization
