兼具高效发光和电荷传输特性的有机半导体是实现有机电泵浦激光的理想候选材料，但其分子设计与合成面临着巨大挑战。高载流子传输和高效固态发光效率之间存在着天然的矛盾，这是因为高载流子传输要求分子紧密堆积并具有强的分子间相互作用，但这种相互作用会显著降低固态发光效率。本文综述了近年来报道的兼具电荷传输特性和高发光效率的联苯衍生物的研究进展，重点介绍了约20余种基于联苯衍生物的有机半导体材料，包括分子的设计策略、相关的光电性能及其在光电器件方面的应用，为兼具高电荷传输特性和高发光效率的有机半导体材料的研究提供了指导和借鉴，同时为发展与实现有机电泵浦激光奠定了材料基础。本文还对该领域未来发展的挑战、方向及机遇进行了简单评述。

研制了一套微通道封装结构半导体激光器的低温测试表征系统, 实现了对高功率半导体激光器在－60℃~0℃低温范围内的输出功率、电光转换效率和光谱等关键参数稳定可靠的测试表征. 采用计算流体力学及数值传热学方法, 模拟了无水乙醇、三氯乙烯以及五氟丙烷三种载冷剂的散热性能. 模拟结果表明, 压降均为0.47 bar时, 采用无水乙醇作载冷剂的器件具有最低的热阻(热阻为0.73 K/W)和最好的温度均匀性(中心和边缘发光单元温差为1.45℃). 低温测试表征系统采用无水乙醇作为载冷剂, 最大可实现0.5 L/min的载冷液体流量, 最多能容纳5个半导体激光器巴条同时工作. 基于该低温测试表征系统, 对微通道封装结构976 nm半导体激光器巴条在6%占空比下的低温特性进行了研究. 测试结果表明, 载冷剂温度由0℃下降到－60℃, 半导体激光器的输出功率由388.37 W提升到458.37 W, 功率提升比为18.02%; 电光转换效率由60.99%提升到67.25%, 效率提升幅度为6.26%; 中心波长由969.68 nm蓝移到954.05 nm. 器件开启电压增加0.04 V, 阈值电流降低3.93 A, 串联电阻增加0.18 mΩ, 外微分量子效率提高11.84%. 分析表明, 阈值电流的减小及外微分量子效率的提高, 是促使半导体激光器在低温下功率、效率提升的主要因素. 研究表明, 采用液体微通道冷却的低温工作方式, 是实现半导体激光器高输出功率、高电光转换效率的一种有效手段.

利用波段为2～20μm的电调制红外宽谱光源和中心波长为3.95 μm及10.55 μm的双通道热释电探测器, 采用单光源双波长光路结构设计了一种新型SF6气体传感器.运用径向基函数神经网络对传感器在检测过程中因环境温度变化所带来的测量误差进行补偿, 结果表明：SF6气体传感器在环境温度10～35℃、气体浓度0～0.200%范围内的检测准确度小于±1.5%FS, 相对标准偏差为1.56%, 可以有效消除在测量气体浓度时环境温度变化引起的非线性影响.与传统经验公式法和温度控制法相比, 该方法具有良好的测量准确度和稳定性, 且无需增加硬件温度补偿模块, 有利于传感器的小型化和低成本设计.

为提高大功率LED的散热能力, 采用具有更高熔点和更优良的导电导热性能的纳米银焊膏作为芯片粘结材料, 以Al2O3基陶瓷基板封装COB LED模块。同时以Sn/Ag3.0/Cu0.5和导电银胶两种粘结材料作为对比, 分别在27, 50, 80, 100, 120 ℃等环境温度中测试3种模块的光电性能来评估模块的热管理水平; 在100 ℃环境下进行加速老化实验, 评估3种LED模块的可靠性。测试结果表明, 纳米银焊膏封装的大功率LED模块光电性能优异, 且具有较强的长期可靠性。

利用波长为800 nm, 脉宽130 fs的飞秒激光在镀铝膜的玻璃基片上刻蚀出波带环图案, 然后用溶致相分离法将其制备成聚合物分散液晶菲涅尔波带片.用波长为632 nm的He-Ne激光对聚合物分散液晶菲涅尔波带片进行测试, 结果表明:随着电压的增加该样品具有良好的光电可控性, 可以实现对焦点光强的调控.在沿光轴方向上, 测试到的主焦点位置与理论计算值相差小于5%, 且聚合物分散液晶菲涅尔波带片在160 V电压时衍射效率为10.4%, 接近理论衍射效率12.1%, 表明了该设计的可行性.

为了提高光电稳定跟踪平台伺服性能, 针对车载光电稳定平台的扰动特点, 依据自抗扰控制算法的分离特性, 提出一种含有积分补偿项的自抗扰控制伺服系统, 系统对指令信号安排过渡过程, 即采用最速控制方案。实际摇摆测试结果表明:设计的自抗扰控制伺服系统既保证了车载光电稳定平台稳定误差为0.129 mil(1σ), 又提高了平台的自动跟踪性能, 是一种可应用在稳定跟踪平台系统中的理想控制器。

在光电扫描系统中,热晕驻区会对激光大气传输能量产生严重的衰减,而热晕驻区出现的概率是由大气 风速风向联合概率决定的。由合肥地区2007年5月至2011年6月的对流层风廓线雷达1 h平均风场数据,根 据最小二乘法原理,分别拟合Frechet、Gumbel和Weibull概率分布,得到拟合参数及相关系数和剩余标准 差,从而比较得到最优分布模型;在上述方法拟合不出较好结果的情况下,由样本数据,根据圆形正态 概率分布的特点,计算出纬向风和经向风平均值和均方差,这样也可以得到风场概率随风速和风向的 关系,从而计算某一风场对应的概率。

根据半主动式激光导引头的目标探测原理，提出了四象限光电探测器的目标位置解算偏差模型，以及由探测器信号测量一致性引起的测量误差模型，据此进行了数值分析计算和试验验证。数值分析与试验结果表明，目标位于跟踪区外侧时，电路的目标位置解算偏差起决定作用，目标位于跟踪区中心时，探测器测量一致性误差起决定作用。利用本文的分析方法，可在激光导引头跟踪性能试验中，对其跟踪性能指标进行深入的分析与评价。

分析了相位调制型音频光电检测方法的可行性, 对四步移相法测量声音的光电转换方法进行了计算与分析。结果表明, 该种光电检测方法在声音的光电检测应用过程中, 振动膜片和探测器位置定位的选择对检测精度起着决定性的作用。该环节直接影响整个检测系统的声音频谱范围和动态范围。

使用脉冲激光淀积(PLD)技术在n型Si衬底上沉积氧化锌(ZnO)薄膜,在O2气氛下对样品进行了500 ℃(Sample 1, S1)，600 ℃(Sample 2, S2)，700 ℃(Sample 3, S3)和800 ℃(Sample 4, S4)退火，随后进行了X射线衍射(XRD)谱，椭偏光折射率，热激电流(TSC) 和电容-电压(C-V)的测量。研究发现：S1中晶界的电子陷阱由高浓度的深能级杂质(Zni)提供的电子填充，该能级位于ET=EC-024±0.08 eV。S3中出现与中性施主(D0)有关的深能级中心，其ET=EC-0.13±0.03 eV，推测D0的出现与高温氧气条件退火下晶界处形成的复合体缺陷有关。XRD和椭偏光折射率测量结果表明：氧气对ZnO薄膜微结构的修饰是改变ZnO/Si结构光电特性的主要因素。