苏盈文 1陆华 1,*石首浩 1李頔琨 1[ ... ]赵建林 1,**
作者单位
摘要
1 西北工业大学物理科学与技术学院光场调控与信息感知工业和信息化部重点实验室,陕西省光信息技术重点实验室,陕西 西安 710129
2 兰州理工大学理学院,甘肃 兰州 730050
本文研究了金属光栅表面等离激元与单层二硫化钨激子的耦合共振特性。利用时域有限差分法模拟了一维金光栅/单层二硫化钨混合结构的光谱响应及电场强度分布。结果表明,金光栅表面等离激元与单层二硫化钨激子耦合可产生光谱劈裂。当改变金光栅的结构参数时,混合结构的反射光谱出现了明显的反交叉现象。采用时域耦合模理论拟合了混合结构不同参数时的反射光谱,拟合结果与数值模拟符合较好。金光栅表面等离激元与单层二硫化钨激子的耦合作用满足强耦合判据。耦合振荡器模型分析结果表明,当金光栅周期为400 nm、宽度为300 nm时,混合结构强耦合光谱的拉比劈裂为54.6 meV,其与时域耦合模理论结果一致。该工作将为表面等离激元与激子强耦合作用的深入研究与器件开发开辟新途径。
表面等离激元 一维金光栅 二硫化钨 激子 强耦合 
光学学报
2024, 44(4): 0424002
杨万丽 1,4黄田田 1张乐鹏 3徐沛然 1[ ... ]戴宁 1,2,4,**
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
2 国科大杭州高等研究院,浙江 杭州 310024
3 郑州大学 材料科学与工程学院,河南 郑州 450052
4 中国科学院大学,北京 100049
利用垂直WS2/Ga2O3异质结构中异质界面诱导了反常的光致发光(PL)发射。垂直堆栈的WS2/Ga2O3异质界面使其形成了II型能带结构,导致与Ga2O3层接触的底层WS2的PL强度下降。而异质界面的强耦合作用也影响了双层WS2中的同质层间相互作用,使得上层WS2出现反常的PL增强。这种堆栈新型二维异质结构为定制目标能带结构并控制其光子和电子行为提供一种新的手段。
二硫化钨 氧化镓 异质结 界面 光致发光 WS2 Ga2O3 heterostructure interface photoluminescence 
红外与毫米波学报
2023, 42(2): 162
曹晟 1,2张锋 1刘绍祥 2,3陈思凯 2,4[ ... ]赵洪泉 2,3
作者单位
摘要
1 重庆理工大学理学院, 重庆 400054
2 中国科学院重庆绿色智能技术研究院, 重庆 400714
3 中国科学院大学重庆学院, 重庆 400714
4 重庆邮电大学光电工程学院, 重庆 400065
化学气相沉积(CVD)是大尺度二维材料生长的有效方法, 但CVD过程不可避免地会产生高密度的空位缺陷, 影响材料的光电性能。本文利用碱金属卤盐辅助CVD法直接在p型Si(111)衬底上生长了毫米尺度和原子层厚的WS2。通过在钨源中掺入饱和ErCl3粉末, 得到Er掺杂WS2薄膜(WS2(Er))。结合光学显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱、能量色散X射线光谱、光致发光和拉曼光谱等技术对材料进行表征, 结果表明, 相比纯WS2, WS2(Er)薄膜的荧光强度获得数量级增长, 且中心波长大幅红移。荧光测试表明, 相比SiO2衬底上的WS2, 在Si衬底上生长的WS2的荧光特性出现了明显的电荷转移效应。基于SiO2衬底上的WS2和WS2(Er)场效应晶体管器件的光电测试结果表明, WS2(Er)场效应晶体管的光响应度为4.015 A/W, 外量子效率为784%, 均是同等条件下纯WS2器件的2 000倍以上。本工作对稀土掺杂二维材料的研究具有一定的参考意义。
化学气相沉积 二硫化钨 铒掺杂 单晶硅 荧光特性 光电特性 CVD WS2 Er doping single-crystal silicon fluorescent property photoelectric property 
人工晶体学报
2023, 52(5): 849
作者单位
摘要
哈尔滨工业大学 (深圳) 理学院, 广东 深圳 518055
为探究二维层状过渡金属硫化物的激子效应, 尤其是上转换过程, 以层状 WS2 样品为例开展了研究。利用 532 nm 连续激光和显微拉曼技术, 探究了 WS2 晶体中 X0、X- 激子态物理起源和基本物理性质。利用 633 nm 连续激光, 实现了 WS2 晶体的单光子上转换荧光增强, 证实了其背后的双共振物理机制, 即入射光与 X- 激子态共振, 在光学 声子 A1g、E12g 的辅助下跃迁至高能级 X0 激子态, 最后自发辐射上转换荧光。此外, 进一步对双共振上转换荧光的影响因素进行了分析, 包括曝光时间、温度和激发功率。拟合结果表明适当增加曝光时间、减小环境温度和增加激发功率, WS2 的上转换荧光效率会得到提升。
激光物理 上转换荧光增强 双共振拉曼散射效应 二硫化钨 laser physics up-conversion fluorescence enhancement double resonance Raman scattering effect tungsten disulfide 
量子电子学报
2022, 39(4): 605
作者单位
摘要
1 西北大学 物理学院 光子学与光子技术研究所,西安 710069
2 西安邮电大学 理学院,西安 710121
利用液相剥离法制备了WS2纳米片,结合真空抽滤技术,控制上清液体积制备了不同厚度的WS2薄膜。在此基础上,使用800 nm飞秒激光的Z扫描技术表征了WS2纳米薄膜的三阶非线性吸收特性。研究发现,制备的不同厚度的WS2都表现出可饱和吸收特性,可饱和吸收主要是由于单光子吸收所引起的泡利阻塞效应引起;随着厚度的增加,饱和强度基本不变,调制深度会有所提高,但是三阶非线性极化率虚部的绝对值和品质因子会降低。这主要是因为较厚的薄膜缺陷更多,更容易捕获光生载流子,从而三阶非线性吸收和厚度有一定的依赖关系。可饱和吸收可以用于调Q激光器以及锁模激光器,为WS2薄膜在超快开关和超快激光的应用提供实验支持。
二硫化钨 三阶非线性 可饱和吸收 厚度依赖 Z扫描 Tungsten disulfide(WS2) Third order optical nonlinearity Saturable absorption Thickness dependence Z-scan 
光子学报
2022, 51(4): 0416002
作者单位
摘要
天津大学 精密仪器与光电子工程学院 光电信息技术教育部重点实验室,天津 300072
提出了一种具有增强灵敏度的锥形光纤二硫化钨(WS2)-金(Au)表面等离子体共振(SPR)传感器。通过传输矩阵方法对传感器进行了理论模拟,评估了传感器的可行性。在锥形光纤上依次涂覆WS2和溅射金膜进行传感实验,该传感器的实验折射率灵敏度可达4 158.171 nm/RIU,比多模光纤SPR传感器提高了125.8%,比锥形光纤Au-WS2 SPR传感器提高了50.1%。此外,该传感器中的WS2不易脱落,表现出良好的可靠性。该传感器结构简单、易于制造,具有高的折射率灵敏度,在生化传感领域具有良好的应用前景。
表面等离子体共振 锥形光纤 灵敏度 二硫化钨 传感器 Surface plasmon resonance Tapered fiber Sensitivity Tungsten disulfide Sensor 
光子学报
2022, 51(3): 0306002
作者单位
摘要
上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093
采用太赫兹散射式扫描近场光学显微镜(THz s-SNOM)研究了化学气相沉积法制备的单层MoS2和WS2晶粒的太赫兹近场响应。在没有可见光激发时,未探测到可分辨的太赫兹近场响应,说明晶粒具有较低的掺杂载流子浓度。有可见光激发时,由于光生载流子的太赫兹近场响应,能够测得与晶粒轮廓完全吻合的太赫兹近场显微图。在相同的光激发条件下,MoS2的太赫兹近场响应强于WS2,反映了两者之间载流子浓度或迁移率的差异。研究结果表明,THz s-SNOM兼具超高的空间分辨率和对光生载流子的灵敏探测能力,对二维半导体材料和器件光电特性的微观机理研究具有独特的优势。
太赫兹散射式近场光学显微镜 二硫化钼 二硫化钨 光生载流子分布 近场成像 terahertz scattering-type near-field optical microscope MoS2 WS2 photo-generated carrier distribution near-field imaging 
光学仪器
2022, 44(1): 63
作者单位
摘要
广东石油化工学院理学院,茂名 525000
提出基于金属薄膜-分布式布拉格反射器微腔效应增强单层二硫化钨光吸收的多层薄膜结构。运用光学传输矩阵理论研究了其输运特性,发现由于金属薄膜-分布式布拉格反射器的微腔效应,在间隔层和覆盖层之间形成电场强度极大值,有效促进入射光与单层二硫化钨的相互作用。综合优化金属层、间隔层和覆盖层厚度,单层二硫化钨在612 nm处的光吸收提高了38倍,达到78.42%。进一步探讨了光入射角、分布式布拉格反射器周期、间隔层折射率与单层二硫化钨光吸收的关系。研究结果表明,上述结构参数的变化可有效调控单层二硫化钨的吸收峰值。研究结果为制备高性能单层二硫化钨光电探测器等新型光电子器件提供了新思路。
单层二硫化钨 薄膜 光吸收 微腔效应 光电探测器 monolayer tungsten disulfide thin film light absorption microcavity effect photodetector 
人工晶体学报
2020, 49(9): 1653
作者单位
摘要
1 电子科技大学中山学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室, 广东 中山 528402
2 桂林电子科技大学 广西信息材料重点实验室, 广西 桂林 541004
开发新型无机空穴传输层材料是钙钛矿电池实现商业应用的重要挑战之一。本文开展了二硫化钨纳米片制备及其钙钛矿太阳能电池空穴传输层应用研究。采用液相超声剥离法成功制备了WS2纳米片, 并将其引入钙钛矿太阳能电池中用作空穴传输层。结果表明, 当WS2纳米片溶液浓度为1 mg/mL时, 制备的WS2纳米片空穴传输层具有较合适的厚度, 并且后续在其上生长的钙钛矿活性层成膜质量高、结晶性能好, 电池取得6.3%的光电转换效率。结果证实WS2纳米片可作为新型无机空穴传输层材料用于钙钛矿太阳能电池。
二硫化钨纳米片 液相超声剥离法 钙钛矿太阳能电池 空穴传输层 WS2 nanosheets liquid phase supersonic exfoliation perovskite solar cells hole transport layer 
发光学报
2020, 41(2): 168
孔春霞 1,2,*张雪 1,2戴腾飞 3季晓炜 1,2罗云 1,2
作者单位
摘要
1 南京信息工程大学 江苏省大气环境与装备技术协同创新中心,江苏 南京 210044
2 南京信息工程大学 环境科学与工程学院,江苏 南京 210044
3 南京信息工程大学 江苏省气象探测与信息处理重点实验室,江苏 南京 210044
二硫化钨(WS2)因其具有带隙可调谐、载流子迁移率较高和吸收波段较宽等优异的光学特性,在脉冲激光器领域中有着广泛的应用。本文首先采用锂离子-插层法获得了WS2纳米片溶液,通过超声、离心、旋涂、烘干等流程成功制备了性能优异的WS2可饱和吸收体。其次,利用拉曼、AFM等方法对WS2-SA进行了系统地表征分析,结果表明所制备的WS2-SA表面薄膜是少层层状二维结构。最后,将WS2-SA作为全固态绿光脉冲激光器的调Q器件,利用非线性光学晶体PPLN进行倍频,获得了稳定的被动调Q绿光脉冲激光输出。当吸收泵浦功率为666 W时,最大的平均输出功率为4075 mW,输出脉冲宽度为360 ns,重复频率为116 MHz。
二硫化钨可饱和吸收体 脉冲绿光激光器 被动调Q tungsten disulfide saturable absorber pulsed green laser passively Q-switched PPLN PPLN 
量子光学学报
2019, 25(4): 449

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