基于太赫兹时域光谱系统和德鲁德模型, 测量并分析了少层石墨烯在600 nm CW红光和两种衬底下的透过率及电导率.结果发现, 高阻硅衬底的石墨烯样品在光场激励下对太赫兹信号的吸收显著增强, 而PET(Polyethylene terephthalate)衬底的石墨烯样品在光场激励下对太赫兹信号的吸收则有微弱减少.相较于无激励光场条件, 在0.5 THz处, 高阻硅衬底石墨烯的电导率提升了7倍, PET衬底石墨烯的电导率下降了23%.同时实验也验证了在太赫兹波段少层石墨烯的电导为各层石墨烯电导的线性叠加.

为了研究锑化铟(InSb)半导体材料光电导太赫兹辐射过程, 用数值计算方法分析材料内载流子迁移率和表面电流, 以及不同性质抽运激光器对太赫兹波近场强度的影响, 用宏观电磁场理论和微观半导体理论分析材料表面电流, 比较了InSb和GaAs材料的太赫兹波功率谱曲线。结果表明, InSb材料载流子弛豫时间越长, 载流子迁移率越大; 表面电流与载流子寿命和弛豫时间成正比; 宏观电磁场理论更适于分析表面电流; 抽运激光饱和能量密度越大, 太赫兹近场辐射强度越强; 抽运激光脉冲宽度越短, 太赫兹近场辐射强度越强; InSb光电导辐射太赫兹波功率比GaAs高。该结果为基于InSb光电导太赫兹辐射源的研究奠定了一定的基础。

为了研究锑化铟(InSb)半导体材料的光电导太赫兹辐射过程, 推导了太赫兹近场辐射公式。在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下, 分析了InSb光生载流子浓度、载流子散射率以及光电导表面反射率随时间的变化。结果表明, 数值模拟与文献中的实验曲线变化趋势一致, 计算结果吻合, 证明了该研究方法的正确性。

提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度, 但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响, 本文对低温分子束外延技术（LT-MBE）生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析, 发现样品中存在大量的As反位缺陷（AsGa）、Mn的间隙位缺陷（MnI）、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷, 这些缺陷都会影响外延层的光谱特性, 同时也会影响器件的电学性能。

为研究波段内和波段外组合激光对光导型光电探测器的辐照效应, 实验采用532 nm(波段内)和1319 nm(波段外)双光束组合连续激光辐照光导型CdS光电探测器, 分别改变两束激光的辐照功率, 得到探测器的电压响应曲线。实验结果表明, 光电探测器对波段内和波段外激光都有响应, 但在激光开始和停止辐照瞬间探测器对两束激光的响应电压刚好相反。探测器对波段外激光的电压响应随线性工作区间内的波段内激光功率升高而增大; 随着波段内激光趋于饱和, 对波段外激光的响应电压近似指数级下降。分析认为, 光电探测器对波段外激光的响应为光激发热载流子效应, 是由自由载流子吸收激光能量产生带内跃迁引起的; 波段内激光辐照影响探测器对波段外激光的吸收系数。

描述了用超短光脉冲测量微波器件Ｓ参数的基本原理和建立的测量系统。用该系统测量了频率高达36 GHz器件的S参数, 并同网络分析仪的测量结果进行了比较, 一致性很好。该系统测量频率可达100 GHz。

从理论上提出了光折变材料中光电导过程的陷阱作用机制,给出了载流子的光激发、复合及俘获过程的动力学方程,得到了陷阱作用下的光生量子效率的解析表达式。实验上,对掺杂不同浓度的C60(C70)的PVK薄膜的光生载流子量子效率随光强的变化关系进行了测量,得到了与理论预测相一致的结果。

近几年来, 人们在聚合物中观察到了光折变效应。与无机材料相比, 聚全物材料具有较大的电光响应、高的破坏阚值和低的介电常数, 并且容易加工成形。所以它显示出光明的应用前景。本文描述了聚合物光折变的研究方法, 并综述了迄今为止已经报道的理论和实验研究结果。

报道了淀积条件对非晶态硒化镉(α-CdSe)薄膜微区结构的影响,并对利用α-CdSe薄膜为光敏介质的快速光电探测器的瞬态光电导进行了比较深入的测试研究。