作者单位
摘要
1 重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院, 重庆 400065
2 中国电子科技集团公司第二十四研究所, 重庆 400060
在流水线模数转换器(Pipeline ADC)电路中, 栅压自举开关中的非线性电容会对开关管的导通电阻产生直接的影响, 导致采样非线性。设计了一种三路径的高线性度栅压自举开关, 采用三个自举电容, 分别构成两条主路径和一条辅助路径, 使得输入信号在通过两条主路径传输到开关管栅端时加快栅端电压的建立, 同时利用辅助路径驱动非线性电容, 减少电路中非线性电容对采样电路线性度的影响, 从而增强信号驱动能力, 提高整体电路的精度。本文设计的栅压自举开关应用于14 bit 500 MHz流水线ADC的采样保持电路中。采用TSMC 28 nm CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明, 在输入频率为249 MHz, 采样频率为500 MHz的条件下, 该栅压自举开关的信噪比(SNDR)达到92.85 dB, 无杂散动态范围(SFDR)达到110.98 dB。
栅压自举开关 采样保持电路 非线性电容 主路径 辅助路径 gate voltage bootstrap switch sample and hold circuit nonlinear capacitance main path auxiliary path 
微电子学
2023, 53(5): 758
作者单位
摘要
重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院, 重庆 400065
为了在轻重负载条件下获得更高的转换效率, 采用分段式结构和导通电阻更小的NMOS作为输入级, 并采用PWM/PFM双调制方式, 设计了一种Buck型DC-DC转换器。为解决PWM/PFM调制信号切换问题, 采用零电流检测方式进行切换。利用断续导通模式(DCM)和连续导通模式(CCM)下端NMOS管导通时电感电压的不同, 检测下端NMOS在导通时电感电压大于零的周期。当电感电压大于零的周期大于2时, 则处于DCM模式并自动采用PFM调制模式, 关闭一部分功率管以减小开关频率和功率管寄生电容, 优化轻载效率; 反之则处于CCM模式并采用PWM调制。仿真结果表明, 在负载电流10~1 000 mA范围内, 该电路可以在两种调制模式平稳切换, 在800 mA时峰值效率可提升到96%以上。
DC-DC转换器 零电流检测 PFM调制 PWM调制 DC-DC converter zero current detection PFM modulation PWM modulation DCM DCM CCM CCM 
微电子学
2023, 53(4): 654
作者单位
摘要
重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院, 重庆 400065
在降压转换器中, 为了在不同的负载情况下获得高效率, 常采用的方法是在重载时使用脉冲宽度调制(PWM), 在轻载时使用脉冲频率调制(PFM), 因此需要模式切换信号去控制整个降压转换器的工作状态, 同时模式切换信号也可以用于自适应改变功率级电路中的功率管栅宽, 减小功率管的栅极电容, 提高整体电路的效率。文章设计了一个自适应峰值电流模式切换电路, 用于产生模式切换信号, 其原理是监控峰值电流的变化, 产生峰值电压, 将峰值电压与参考电压进行比较, 得到模式切换信号, 以决定降压转换器是采用PFM模式还是PWM模式。仿真结果表明, 在负载电流05~500 mA范围内, 该电路可以在两种调制模式之间平稳切换, 其峰值效率可提升到94%以上。
降压转换器 模式切换 脉冲宽度调制 脉冲频率调制 自适应峰值电流 buck converter mode switching pulse width modulation pulse frequency modulation adaptive peak current 
微电子学
2023, 53(4): 647
作者单位
摘要
1 重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院, 重庆 40006
2 重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院, 重庆 400065
提出了一种用于增量型Σ-Δ ADC的调制器设计的算法。该算法针对增量型Σ-Δ ADC中的积分器系数进行优化, 采用两步式搜索的方法, 对可能的最优解组合进行多次求解与对比分析。基于该算法, 设计了一种16位40 kS/s增量型Σ-Δ ADC。可以对ADC电路的有效精度和输入采样速率这两个性能指标进行有效调节及优化。仿真结果表明, 采用所提出的优化设计算法可以将ADC的输入采样速度由40 kS/s提升到51 kS/s, 或者将ADC的ENOB由1376 bit提高到1472 bit, 且不增加额外功耗。
增量型Σ-Δ ADC 参数优化算法 Σ-Δ调制器 incremental Σ-Δ ADC parameter optimization algorithm Σ-Δ modulator 
微电子学
2023, 53(4): 574
王巍 1,2赵启航 1,2,*杨森 1,2张珂 1,2[ ... ]刘彤宇 3
作者单位
摘要
1 清华大学 精密仪器系 激光与光子技术研究所,北京 100084
2 清华大学 精密仪器系 精密测量技术与仪器国家重点实验室,北京 100084
3 中国电子科技集团公司第五十三研究所 光电信息控制与安全技术重点实验室,天津 300308
依据雪崩光电二极管(APD)产品数据手册中雪崩增益、噪声(温度)与偏压的相关关系通过曲线拟合建立了APD输入、输出和偏压控制的函数模型,并基于非线性相关源控件构建了APD的电路仿真模型。设计了具有恒虚警APD偏压自动控制以及防近程散射时间增益控制的测距电路,引入自动增益控制信号,完成了恒虚警激光测距电路的全闭环动态仿真试验研究。仿真结果表明,恒虚警测距电路可根据虚警率设计值自动捕捉APD最佳雪崩增益工作偏压,虚警率每百毫秒60~70次时最小可探测光功率达到25 nW,与实际值接近,验证了恒虚警全闭环仿真模型的可行性。
雪崩光电二极管 非线性相关源 恒虚警激光测距 全闭环仿真 近程误测 Avalanche photodiode Nonlinear dependent source Constant false alarm laser ranging circuit Full closed-loop simulation Anti-short-range scattering 
光子学报
2023, 52(4): 0425001
作者单位
摘要
重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院, 重庆 400065
为了解决高分辨率逐次逼近模数转换器(SAR ADC)中,电容式数模转换器(DAC)的电容失配导致精度下降的问题,提出了一种电容失配自测量方法,以及一种可适用于各种差分电容DAC设计的低复杂度的前台数字校准方法。该方法利用自身电容阵列及比较器完成位电容失配测量,基于电容失配的转换曲线分析,对每一位输出的权重进行修正,得到实际DAC电容大小对应的正确权重,完成数字校准。数模混合电路仿真结果表明,引入电容失配的16位SAR ADC,经该方法校准后,有效位数由10.74 bit提高到15.38 bit。
逐次逼近模数转换器 数字校准 电容失配 SAR ADC digital calibration capacitor mismatch 
微电子学
2022, 52(4): 550
作者单位
摘要
重庆邮电大学 光电学院/国际半导体学院, 重庆 400065
采用0.35 μm CMOS工艺,设计了一种用于CdZnTe探测器的16通道高速前端读出电路。整体电路由16个模拟通道、偏置模块和逻辑控制模块组成,每个通道包括电荷敏感放大器、漏电流补偿电路、成形器、基线保持电路、峰值检测保持电路和时间甄别器。分析了高入射频率下主要电路模块的性能及通道的读出时序。仿真结果表明,本前端读出电路的输入能量范围为29~430 keV@1~15 fC,每个通道功耗小于1.8 mW,等效噪声电荷为87.6e-,最大能补偿的漏电流为50 nA,达峰时间为150 ns,通道增益为50 mV/fC,非线性小于1%,最高注入频率为500 kHz。
前端读出电路 CdZnTe探测器 高速 单光子发射计算机断层成像 front-end readout circuit CdZnTe detector high speed SPECT 
微电子学
2022, 52(3): 376
作者单位
摘要
中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽 合肥 230029
基于可调谐红外激光的能源化学研究大型实验装置的核心器件是两套自由电子激光振荡器,能够产生覆盖2.5~200.0 μm波长范围的连续可调的中红外和远红外激光光谱。每套振荡器包括一个波荡器、一对由位姿可调的镀金球面反射镜和真空室构成的谐振腔以及三个POP-IN探测器。在准直过程中,需要保证波荡器磁中心、金属球面反射镜轴心和电子束流中心线达到很高的共轴精度以实现激光的饱和输出。为了实现对波荡器束流的监测,需要通过准直的手段保证反射镜的光可以通过三个由步进电机控制的POP-IN上的直径为1 mm的小孔。采用激光跟踪仪配合光电自准直仪,对谐振腔进行了准直,谐振腔反射镜的横向倾斜度小于50 μrad,横向离轴偏差小于0.1 mm。使用激光跟踪仪结合准直望远镜,实现三个POP-IN的工作点位置与电子束流中心线共轴,共轴精度为0.15 mm,并通过激光器搭建在线准直系统,将真空外准直激光照射到腔体内部以调节反射镜姿态。开展了离线标定实验和现场安装,红外自由电子激光装置的顺利出光证明所提方案是可行且可靠的。
测量 红外自由电子激光 谐振腔 准直安装 自准直仪 激光跟踪仪 
中国激光
2022, 49(23): 2304003
作者单位
摘要
重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院, 重庆 400065
基于65 nm CMOS工艺设计了一种可用于脉冲神经网络系统的低功耗、高能效、结构紧凑的突触电路。突触电路采用开关电容电路结构, 直接接收来自神经元电路的脉冲信号, 根据脉冲时间依赖可塑性(STDP)学习规则调节突触权重, 并实现了权重学习窗口的非对称性调节, 使突触电路可以适应不同情况。仿真结果表明, 突触电路耗能约为0.4 pJ/spike。
突触 脉冲神经网络 synapse CMOS CMOS STDP STDP spiking neural network 
微电子学
2022, 52(1): 17
作者单位
摘要
重庆邮电大学 微电子工程重点实验室,重庆 400065
采用单层膜、梯形结构基于128°YX-LiNbO3材料研究了Al电极厚度、叉指占空比、反射栅周期、拓扑结构对插损、带外抑制和矩形度的影响。为了降低带内波动和插入损耗,该文设计了一种叉指换能器(IDT)型反射栅结构,该结构对采取优化措施前后谐振器的带内最大尖峰损耗分别降低了8, 84%和0, 55%。最后采用此反射栅结构设计了一款低插损高频声表面波(SAW)滤波器,有限元仿真结果表明,该滤波器的中心频率为2, 520 5 GHz,插入损耗为-0, 502 12 dB,带外抑制大于30 dB,-3 dB损耗带宽大于98 MHz。
占空比 声表面波(SAW)滤波器 叉指换能器(IDT)型反射栅 电极厚度 “T+π”型拓扑结构 duty ratio surface acoustic wave(SAW) filter interdigital transducer(IDT) reflector grating electrode thickness “T+π” topology 
压电与声光
2022, 44(2): 180

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