1 模拟集成电路重点实验室，重庆 400060
2 中国电子科技集团公司 第二十六研究所，重庆 400060
Cu/15°YX-LiNbO3声表面波(SAW)谐振器作为宽带SAW滤波器的核心单元，其横向模式的存在极大地影响了SAW滤波器的通带性能，将引起带内波纹，增大器件插损，从而降低系统信噪比，引起信号误读。该文基于Piston技术抑制Cu/15°YX-LiNbO3 SAW谐振器的横向模式，利用有限元仿真优化了指条末端尺寸。仿真结果表明，慢速区域尺寸占空比为0, 692，长度约为0, 65λ(λ为波长)时，主模附近的横向模得到完全抑制，并通过实验验证了其有效性。这为Piston技术应用于Cu/15°YX-LiNbO3宽带SAW滤波器的横向模抑制提供了指导。
声表面波(SAW)谐振器 宽带声表面波(SAW)滤波器 横向模式 Piston技术 surface acoustic wave(SAW) resonator wide band SAW filter transverse modes Piston technique
中国电子科技集团公司第二十六研究所，重庆 400060
该文研制了一款频率3, 4 GHz的S波段声表面波(SAW)滤波器。该滤波器采用一种由新型谐振器构成的阻抗元结构，能提升抗热释电静电损伤能力，用时可在一定程度上提升器件的功率承受能力。同时研制了尺寸为2, 0 mm×1, 6 mm的芯片级封装(CSP)基板。采用倒装焊工艺实现了芯片与CSP基板的电连接，降低了电磁寄生影响。结果表明，研制的SAW滤波器频率为3, 408 GHz，插损为2, 23 dB，8 GHz远端阻带大于30 dB，且实测的功率承受能力达到30 dBm。
声表面波(SAW)滤波器 S波段 芯片级封装(CSP) surface acoustic wave(SAW) filter S band chip scale packaging(CSP)
中国电子科技集团第二十六研究所, 重庆 400060
以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料, 选择双T型阻抗元结构, 采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%, 最小插入损耗为-2.8 dB, 体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡, 对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明, 探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比, 两者吻合较好, 解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。
晶圆级封装(WLP) 声表面波滤波器 探卡 wafer level packaging(WLP) SAW filter probe card
1 中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
2 装备发展部驻重庆地区军事代表室, 重庆 400060
该文采用周期调制及双通道设计的方法实现了一种低损耗高抑制声表面波滤波器的研制。该滤波器以64°Y-X LiNbO3为基片材料, 其中心频率约475 MHz, 插入损耗小于2 dB, 阻带抑制优于60 dB及1 dB相对带宽约5%。研制的滤波器具有低插损及高阻带抑制的特性, 结果表明该设计方法具有很好的实用性。
声表面波滤波器 周期调制 三换能器 surface acoustic wave filter pitch-modulated three-IDT
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底, 温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜, 利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进行了测试。测试结果表明, 该温补型声表面波滤波器的中心频率约1 360 MHz, 在-55~85 ℃内频率漂移仅约390 kHz, 频率温度系数约-2×10-6/℃, 插入损耗约1.3 dB。
声表面波滤波器 温补型声表面波 频率温度系数 SAW filter TC-SAW temperature coeffcient of frequency(TCF)
