作者单位
摘要
北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室, 北京 100015
高性能实用化辐射源是太赫兹应用的关键器件, 利用周期结构电磁色散中的止带区域具有耦合阻抗高的特点, 电子注和电磁波能够高效互作用, 可以实现大功率太赫兹振荡器。带边振荡器(BO)相比于传统的返波振荡器(BWO), 可以实现大功率输出, 在 W波段能达到百瓦量级, 太赫兹波段能达到瓦级; 采用周期永磁聚焦系统, 可以实现小体积轻质量; 慢波结构尺寸短, 结构简单; 成本低, 具有批量生产能力。本文提出可构建 3π止带的交错子周期折叠波导慢波结构 (FWG SWS)和双频双模双向带边振荡器工作机理, 采用皮尔斯双阳极电子枪、周期永磁聚焦系统、金刚石输能窗以及高效率收集极, 设计和研发了频率在 100 GHz以上的几种带边振荡器, 实现了 100 GHz频段 140 W的功率输出, 120 GHz频段实现了 30 W的功率输出, 在 300 GHz实现了 1W以上的功率输出。
周期结构 色散特性 太赫兹 带边振荡器 真空电子器件` periodic structure dispersion characteristics terahertz Band-edge Oscillators vacuum electron devices 
太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(9): .1065
作者单位
摘要
1 天通凯巨科技有限公司,江苏 徐州 221000
2 天通控股股份有限公司,浙江 嘉兴 314000
3 天通凯巨科技有限公司,江苏 徐州 221000天通控股股份有限公司,浙江 嘉兴 314000
铌酸锂作为一种优良的多功能晶体材料,在光学、声学、电学和电子领域应用较广。已有研究表明,在集成光电子器件应用中对铌酸锂晶片进行键合,可提高器件的传输频率,降低损耗,实现高集成密度。该文总结了近年来国内外有关铌酸锂晶片键合技术的研究现状,介绍了键合强度的分析方法,以及铌酸锂键合晶圆在集成光电子器件中的最新研究进展,展望了铌酸锂键合技术的未来发展。
铌酸锂 键合 电子器件 集成 调制器 lithium niobate bonding optoelectronic device integration modulator 
压电与声光
2023, 45(6): 926
作者单位
摘要
1 长春工业大学 化学工程学院,吉林 长春 130012
2 梧州学院 广西机器视觉与智能控制重点实验室,广西 梧州 543002
本文介绍了石墨烯材料的制备、石墨烯压力传感器的性能以及在可穿戴电子器件中的应用前景。总结了石墨烯材料的制备方法,阐述了石墨烯压力传感器在机械、导电性能、显示方面的优势。研究了在压力传感器的结构中加入石墨烯、石墨烯衍生物或石墨烯复合材料提高传感器性能的策略。介绍了石墨烯压力传感器在可穿戴电子器件中的应用,包括人体行为和健康检测、人机界面、电子皮肤以及可穿戴显示器方面的优秀性能和前景。
石墨烯 压力传感器 性能 应用 可穿戴电子器件 graphene pressure sensor performance applications wearable electronics 
液晶与显示
2023, 38(8): 1062
作者单位
摘要
长春理工大学物理学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春 130022
硒化铅胶体量子点(PbSe QDs)因其具有显著的多激子效应、大的激子波尔半径、宽的波长调控范围以及高的荧光量子产率等优异性能,在室温红外光电子器件领域有巨大的应用前景。然而,通过溶液法合成的PbSe QDs存在发光稳定性差和发光效率低等问题,进一步限制了它的发展,这是由量子点的表面易被氧化与载流子传输性能不佳所导致的。因此,本文围绕PbSe QDs的表面修饰工程对其迁移率、陷阱态、能级移动、发光效率以及稳定性改性方面的影响进行了系统论述,并总结了表面修饰工程在PbSe QDs太阳能电池、发光二极管和光电探测器等领域的应用现状,最后对该工程在光电子器件实际应用中存在的问题以及未来研究重点进行了展望。
光学器件 硒化铅胶体量子点 配体 光致发光 稳定性 电子器件 
激光与光电子学进展
2023, 60(15): 1500004
作者单位
摘要
陕西师范大学 材料科学与工程学院,教育部应用表面与胶体化学重点实验室,陕西省新能源器件重点实验室,陕西省新能源技术工程实验室,新能源材料研究所,陕西 西安 710119
卤化铅基钙钛矿单晶(SC)X射线探测器由于其强大的阻挡能力和高载流子传输效率而受到广泛关注。然而,铅基钙钛矿在可穿戴电子产品中的应用受到其毒性的限制。ABX3杂化钙钛矿具有多种结构,通过B位点工程将光电子特性和环境友好处理相结合。在这篇展望中,我们总结了钙钛矿SC X射线探测器的最新进展,提供了从铅基到无铅再到无金属的B位工程概述。随后,提出了未来钙钛矿可穿戴电子器件的前景。我们希望这篇展望将为结构设计提供有益的指导,以实现高效、环保的钙钛矿可穿戴电子器件。
卤化钙钛矿单晶 X射线探测器 B位工程 可穿戴电子器件 halide perovskite single-crystal X-ray detector B-site engineering wearable electronics 
发光学报
2023, 44(3): 486
作者单位
摘要
1 电子科技大学,电子科学与工程学院,微波电真空器件国家级重点实验室,四川 成都 611731
2 中国电子科技集团公司第十二研究所,微波电真空器件国家级重点实验室,北京 100015
3 北京航空航天大学,电子信息工程学院,北京 100191
带状注是指束流截面近似为矩形或椭圆形的电子注,且具有大的宽高比。相对于传统的圆形注,带状注具有很多优点,例如大电流和大互作用面积等。由于太赫兹波具有高频率、宽频带、高传输速率等优点,因此太赫兹科学与技术近年来发展迅速。作为一种新型的真空电子器件,太赫兹带状注器件在高功率、高增益、高效率及小型化方面具有良好的技术优势。但是,带状注在传输过程中易出现Diocotron不稳定性,难以保持长距离稳定的聚焦传输,从而导致带状注的技术优势难以发挥。本文综述了带状注的产生成形方式和聚焦传输方法,以及太赫兹带状注器件的研究进展,同时讨论了它所面临的挑战和未来的发展方向。
太赫兹 带状注 真空电子器件 Diocotron不稳定性 磁聚焦方法 terahertz sheet beam vacuum electron devices diocotron instability magnetic focusing methods 
红外与毫米波学报
2023, 42(1): 26
作者单位
摘要
中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京210016
介绍了有源光电子器件同轴和盒式封装结构、电学和光学零件的装联材料和光纤耦合系统的技术实现方法与可靠性。对比分析了电学零件装联材料和光学零件胶合材料的特性。阐述了光纤耦合系统中的直接耦合和间接耦合的结构特征,以及间接耦合中的光窗封接技术和直接耦合中的光纤与尾纤导管的三种封接技术和可靠性。此外,针对有源光电子器件的典型失效模式,给出了可靠性验证方法。
有源光电子器件 封装结构 光纤耦合 封接 可靠性 active optoelectronic device packaging structure fiber coupling sealing reliability 
光电子技术
2022, 42(3): 222
冯家驹 1,2,*范亚明 2,3房丹 1邓旭光 2[ ... ]张宝顺 2
作者单位
摘要
1 长春理工大学, 高功率半导体激光国家重点实验室, 物理学院, 长春 130022
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 苏州 215123
3 江西省纳米技术研究院, 纳米器件与工艺研究部暨南昌市先进封测重点实验室, 南昌 330200
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人员的广泛关注并有望应用于电力电子系统中, 但其高功率密度和高频特性给封装技术带来极大挑战。传统硅基电力电子器件封装中寄生电感参数较大, 会引起开关振荡等问题, 使GaN的优良性能难以充分发挥; 另外, 封装的热管理能力决定了功率器件的可靠性, 若不能很好地解决器件的自热效应, 会导致其性能降低, 甚至芯片烧毁。本文在阐释传统封装技术应用于氮化镓功率电子器件时产生的开关震荡和热管理问题基础上, 详细综述了针对以上问题进行的GaN封装技术研究进展, 包括通过优化控制电路、减小电感Lg、提高电阻Rg抑制dv/dt、在栅电极上加入铁氧体磁环、优化PCB布局、提高磁通抵消量等方法解决寄生电感导致的开关振荡、高导热材料金刚石在器件热管理中的应用、器件封装结构改进, 以及其他散热技术等。
氮化镓 功率电子器件 封装技术 高电子迁移率晶体管 开关振荡 散热 金刚石 gallium nitride power electronic device packaging technology high electron mobility transistor switch oscillation heat dissipation diamond 
人工晶体学报
2022, 51(4): 730
作者单位
摘要
厦门大学 电子科学与技术学院(国家示范性微电子学院),厦门 361005
垂直腔面发射激光器凭借阈值低、发散角小、调制速率高以及输出光束呈圆斑对称等特点,迅速成为当下半导体激光器的研究热点。氮化镓(GaN)材料是制造紫外到绿光波段光电子器件的理想材料,经过四十余年的研究,蓝光和绿光LED在照明、显示等领域得到广泛应用。技术含量更高的激光器件也已进入了应用的快车道,即将覆盖照明、通信、投影显示、光存储、医疗、微型原子钟及传感器等场景。铝镓氮(AlGaN)是GaN基半导体材料的重要代表之一,其禁带宽度可在3.4 eV(GaN)到6.2 eV(AlN)范围内连续可调,对应波长可覆盖200~365 nm波段,是制造从近紫外波段到深紫外波段紫外垂直腔面发射激光器的理想材料。而铝镓氮(AlGaN)垂直腔面发射激光器经过近20年来的发展,如今已成为半导体激光器的研究热点之一。首先回顾了GaN基垂直腔面发射激光器的发展历史,简要介绍了其在各个波段的主要应用场景;然后介绍蓝光、绿光及紫外垂直腔面发射激光器的研究进展;最后分析了光注入和电注入紫外垂直腔面发射激光器发展过程中的挑战和困难,并介绍了改进和优化的策略。
半导体器件与技术 垂直腔面发射激光器 氮化物 紫外 电子器件 激光器 AlGaN Semiconductor devices and technology Vertical-cavity surface emitting laser Nitride Ultraviolet Optoelectronic Device Laser AlGaN 
光子学报
2022, 51(2): 0251203
作者单位
摘要
复旦大学信息科学与工程学院,上海 200438

光刻图形化工艺对芯片制造乃至于现代信息技术的发展起着至关重要的作用。随着微电子器件关键尺寸的持续微缩,芯片制造工艺日益演进,迫切需要立足国内产业现状,开发用于先进工艺节点的下一代光刻工艺。导向自组装(DSA)光刻技术是一种基于热力学微相分离的图形化工艺,具有高通量、高分辨、低成本的特点。本文提出结合深紫外(DUV)光刻技术在引导图形的基础上开发应用于高端芯片制造,与产线兼容的亚十纳米DSA光刻技术,致力解决制约我国集成电路产业发展的“卡脖子”工艺难题。基于此,从DSA机理、材料种类、图形设计、工艺兼容性(涂胶、退火、刻蚀)、成本、缺陷率、应用等方面系统讨论了该技术的发展潜力,并介绍了DSA光刻在300 mm先导线上实施所取得的最新研究进展,充分论证了DSA与DUV相结合的混合光刻技术应用于先进工艺节点的可操作性。最后,对该技术当前存在的挑战和机遇进行了总结与展望。

光刻 导向自组装光刻 深紫外光刻 亚十纳米制造 电子器件 先进工艺节点 
激光与光电子学进展
2022, 59(9): 0922027

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