1 广西大学工程防灾与结构安全教育部重点实验室, 南宁 530004
2 广西大学广西防灾减灾与工程安全重点实验室,南宁 530004
3 广西大学资源环境与材料学院, 南宁 530004
为了揭示Cl?傆b、SO42?傆b作用下混凝土中钢筋腐蚀机理的差异, 并为氯盐和硫酸盐侵蚀下混凝土的抗腐蚀调控提供理论基础, 研究了Cl?傆b、SO42?傆b侵蚀下混凝土孔溶液中钢筋的电化学行为差异, 并利用基于第一性原理的密度泛函理论研究了腐蚀性物质(Cl?傆b、SO42?傆b)和致钝物质(CaOH+、OH?傆b)在Fe(100)表面的竞争吸附。结果表明: 相较于含Cl?傆b的混凝土孔溶液, 钢筋在含SO42?傆b的混凝土孔溶液中的腐蚀电位和极化电阻均更低, 更易发生腐蚀; SO42?傆b对OH?傆b与铁表面反应的抑制作用略强于Cl?傆b; SO42?傆b既可促使CaOH+中Ca-OH键伸长, 又可阻碍CaOH+中OH基团与表面Fe原子间的作用, 其对CaOH+与铁表面反应的抑制作用明显强于Cl?傆b。
氯离子 硫酸根离子 混凝土 钢筋 腐蚀机理 第一性原理 chloride ion sulphate ion concrete steel reinforcement corrosion mechanism first-principle
辽宁工业大学 机械工程与自动化学院，辽宁 锦州121001
该文提出了一种减小滚珠丝杠副摩擦力的超声振动减摩振子。将激振器与滚珠丝杠的螺母通过螺栓在法兰处相连，通过激发减摩振子的二阶扭转振动模态，实现对滚珠丝杠副的减摩。利用有限元分析软件对减摩振子进行模态分析并对激振器套筒长度、激振器法兰厚度及内孔直径进行正交试验，通过优选得到最佳组合并确定其主要结构尺寸,试制了样件。最后对减摩振子进行实验测试，验证了该减摩方法的可行性。
超声振动减摩 滚珠丝杠副 扭转模态 正交试验 ultrasonic vibration anti-friction ball screw pair torsional mode orthogonal experiment
1 中北大学电气与控制工程学院, 山西 太原 030051
2 中北大学电子测试技术重点实验室, 山西 太原 030051
为解决激光超声技术对现代工业中零部件缺陷的快速分析、检测的问题, 本文经多次试验提取了不同缺陷深度下超声表面波信号, 并对信号进行截取、去噪、平滑等预处理; 通过HHT对预处理后反射回波信号的计算分析, 获取不同缺陷深度的反射回波的各阶IMF以及Hilbert能量谱和Hilbert边际谱, 并从中对信号的时频域特征信息进行提取分析。结果表明: 缺陷的加深使得相邻波峰波谷的最大倾斜率逐渐减小, 信号的IMF2分量的中心频率及能量随之呈增长趋势, 信号低频部分能量呈指数增长, 对总能量贡献率增大, 信号的幅频波动变得平稳, 收敛频率减小, 信号的幅频收敛性变得更好。
时频特征 缺陷深度 最大倾斜率 能量贡献率 幅频收敛性 HHT HHT defect depth time-frequency feature maximum tilt rate energy contribution rate amplitude-frequency convergence
1 Key Laboratory of Polar Materials and Devices, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai20024, China
2 National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai00083, China
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道，分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级，揭示了
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相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素，其中高浓度的中性缺陷簇[
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]能导致带隙明显窄化，而离子性缺陷簇[
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]是主要的深施主缺陷态，同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下，适当减少锡含量，可有效抑制与
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相关的缺陷簇，并避免带隙的窄化。
1 华东师范大学信息学院光电系极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241
2 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海 200083
高功率半导体激光器具有效率高、寿命长、体积小,及成本低等优点,在****、材料加工和抽运源等领域具有广泛应用。阐述了镓砷/GaAs基近红外波段激光器和镓氮/GaN基蓝绿光波段激光器的缺陷类型、发射特征,以及相关研究进展,通过聚焦商用器件,利用变条件分波段发射谱及其热像,展示了与缺陷相关的发射信号来源和空间分布,分析了内部光学损伤(COD)动力学,指出了现有“外COD”模型在解释器件热退化机理上的局限性。
激光器 高功率半导体激光器 红外缺陷发射 热效应 激光与光电子学进展
2019, 56(11): 110001
1 内蒙古医学院附属医院眼科近视眼治疗中心,呼和浩特市,010050
2 内蒙古医学院附属医院眼科,呼和浩特市,010050
目的 研究准分子激光原位角膜磨镶术(LASIK)手术前后角膜后表面前凸的变化,探讨手术后应保留角膜的安全厚度.方法 将135例269只眼近视患者依据近视程度分为3组,使用Orbscan裂隙扫描角膜地形图/角膜测厚系统,观察3组LASIK手术前后角膜后表面差值(Diff)的变化.结果 术前3组Diff值1组为(0.023±0.008)mm;2组为(0.024±0.010)mm;3组为(0.024±0.010)mm,平均值为(0.024±0.009)mm,各组间比较,差异无显著性意义(P＞0.05).厚度＞500μm的角膜后表面Diff值为(0.023±0.008)mm,厚度＜500 μm的角膜后表面Diff值为(0.035±0.014)mm,两组相差非常显著(P＜0.001).术后3组Diff值均较术前增大,1组为(0.052±0.014)mm;2组为(0.052±0.018)mm;3组为(0.053±0.018)mm,平均值为(0.052±0.017)mm,术前术后两组比较相差非常显著(P＜0.001).术后根据保留角膜厚度不同分3组,1组保留角膜厚度＞450 μm,Diff值为(0.041±0.008)mm;2组保留角膜厚度为410～450 μm,Diff值为(0.057±0.013)mm;3组保留角膜厚度为＜410 μm;Diff值为(0.080±0.014)mm.3组间比较,差异均非常显著.术后保留角膜床厚度＞280 μm者,角膜后表面前凸值为(0.016±0.005)mm;术后保留角膜床厚度＜280 μm,角膜后表面前凸值为(0.034±0.009) mm;角膜后表面前凸值平均为(0.017±0.006)mm.结论 术前角膜后表面Diff值与近视程度无关,而与角膜厚度有关,较薄的角膜后表面前凸程度较厚的角膜明显.LASIK术后角膜后表面中央部均有不同程度的前凸.保留角膜床厚度和角膜后表面前凸值呈负相关.LASIK后角膜厚度至少应在410 μm,残留角膜床厚度安全值应为280 μm.
近视 准分子激光原位角膜磨镶术 角膜后表面 前凸
中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
研究了一些半导体低维结构的压力光谱.测得平均直径为26、52和62nm的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点发光峰的压力系数分别为82、94和98 meV/GPa.表明这些发光峰具有Γ谷的特性,这些量子点为Ⅰ型量子点.而平均直径为7nm的量子点发光峰的压力系数为-17 meV/GPa,具有X谷的特性.所以这种小量子点为Ⅱ型量子点.测得ZnS:Mn纳米粒子中Mn发光峰的压力系数为-34.6meV/GPa,与晶体场理论的预计一致.而DA对发光峰基本不随压力变化,表明它应该与ZnS基体中的表面缺陷有关.测得ZnS:Cu纳米粒子中Cu的发光峰的压力系数为63.2meV/GPa,与ZnS体材料的带隙压力系数相同.表明Cu引入的受主能级具有浅受主的某些特点.测得ZnS:Eu纳米粒子中Eu发光峰的压力系数为24.1meV/GPa,与晶体场理论的预计不同.可能和Eu的激发态与ZnS导带间的相互作用有关.
压力 光致发光 量子点 纳米粒子 pressure photoluminescence quantum dot nanoparticle
1 中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点?笛槭?北京,100083
2 中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
3 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的.还观察到了激子在ZnSe0.92Te0.08阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)1/(ZnSe)3短周期超晶格之间的转移现象.
Te等电子陷阱 压力 光致发光. Te isoelectronic traps pressure photoluminescence.
1 中国科学院半导体研究所
2 超晶格和微结构国家重点实验室,北京,100083
3 半导体材料科学实验室,北京,100083
测量了生长在(311)A面GaAs衬底上的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱,变激发功率和压力实验证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰,将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁.高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动,认为它来源于量子点中Γ能谷与价带之间的跃迁.在压力下还观察到了一个新的与X相关的发光峰,认为它与双轴应变引起的导带X能谷劈裂有关.
量子点 压力 光致发光. InAlAs/AlGaAs InAlAs/AlGaAs quantum dot pressure photoluminescence.
