大多数OLED都用ITO做阳极，为了提高ITO的功函数、改善ITO表面的平整度和减少C的污染，通常要在生长有机材料前对ITO表面进行处理。介绍了目前用等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状，给出了Ar、O2、H2、N2、N2O和CF4等离子体处理ITO后对平整度、功函数、接触角和OLED特性等的影响，在他人研究基础上得出结论：用等离子体对OLED阳极进行处理其器件特性不仅与处理ITO表面的气体种类有关，也与产生等离子体的条件有关。采用正交试验方法可优化等离子体处理工艺参数，获得高性能的OLED。

理论和实验研究表明，在一定的应变和掺杂浓度下，Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构，结合本小组近年来在该领域所取得的成果，介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料和器件的研究进展，展望了未来的发展趋势。

采用Bphen/Ag/Bphen作为阴极缓冲层，制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池，研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响。结果表明，在Bphen缓冲层中加入1nm的Ag时，器件的电子注入和传输都得到了提高。采用常用的等效电路模型，计算了缓冲层对器件性能参数的影响。发现Bphen/Ag/Bphen可以改善有机层和电极的界面接触性能，降低器件的串联电阻。此外，测试了器件的吸收光谱，研究了复合缓冲层对器件光子吸收的作用，发现加入Ag薄层后提高了器件的光吸收能力。

强光照射时，CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象，严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光晕现象的抗晕CCD，详细阐述了其抗晕结构的设计和制作方法，采用该方法制作的CCD能够达到500倍的抗晕能力。

设计了结构为“基板/ITO/有机发光层/金属阴极” 的可弯曲式(柔性)有机电致发光器件(FOLED)，利用TracePro光学软件对FOLED在平整和弯曲时的出光情况作了仿真，得到了器件在两种情况下的照度图和发光强度分布图。研究发现：在弯曲时，器件出射光的光通量、照度、发光效率都要比平整时大；同时发现器件在平整和弯曲两种情况下，出射光的发光强度随角度分布情况也不一样。对这些变化从理论上作了解释。

随着高亮度白光LED在室内、室外照明领域的应用，多芯片LED的集成封装方式是其发展的主要趋势之一，而热问题却是多芯片LED集成封装的瓶颈问题之一。建立了多芯片LED集成封装的等效热路模型，并采用有限元分析(FEA)的方法对多芯片LED集成封装的稳态热场分布进行了分析，同时通过制作实际样品研究大功率LED多芯片集成封装的热阻、发光效率与芯片工作数量的关系。结果表明集成封装的多芯片白光LED结温随着集成芯片数量的增加成线性增长，芯片到基板底面的热阻随着芯片工作数量的增加而增大，而其发光效率随着集成芯片数量的增加成线性减小。

1064nm单模半导体激光器在测试、通信、光纤激光器种子源等多种领域有着广泛的应用。设计并制作了一种MOPA结构1064nm单模半导体激光器。做为对比，同时制作了相同外延材料和腔长的脊波导单模半导体激光器。测试结果表明，该MOPA结构管芯发生灾变性光学损伤(COD)时的注入电流约740mA，最高功率达到375mW，无扭折最大输出功率为300mW，此时注入电流约为610mA，水平发散角为9.8°(FWHM)，均优于作为对比的脊波导结构激光器。

文章介绍了一种基于光电闭环负反馈技术的光电隔离线性放大器，对其进行了理论分析，提出了其高线性传输的设计方法，并通过实验进行验证，实现了全温度范围内信号的高线性隔离传输，最后介绍了其发展趋势。

可靠性是影响发光二极管应用的一个重要因素。对1W大功率发光二极管分批在不同电流及不同结温下进行试验，分析了电流和结温对功率型发光二极管寿命的影响，应用应力加速模型推测在不同电流或结温条件下发光二极管的寿命，同时研究了试验过程中发光二极管的光电性能的变化，探索其失效机理，为功率型发光二极管的应用提供参考。

为了精确模拟雪崩光电探测器(APD)的特性，提出了一种APD等效电路模型。文中首先从APD载流子速率方程出发，同时考虑芯片寄生参量和封装寄生参量的影响，得到了APD的等效电路模型，进而基于该电路模型在PSpice软件中分析了APD的光脉冲响应特性、频率响应特性、噪声特性和增益带宽特性。

针对发光二极管(LED) 的可靠性问题, 将抗静电测试与高温老化实验结合，将蓝绿色发光材料制成的二极管分组，测试其经过老化过程后的光色参数变化。实验数据表明，蓝绿色LED裸片与封装样品老化过程中的衰减趋势有一定差异，老化程度与封装材料和发光材料的搭配方式有关。对于未被静电损伤的芯片，经过老化过程后，并没有出现静电损伤被放大导致功能性失效的现象，静电对其参数衰减无明显影响，与单一的老化实验趋势相似。对于经过静电击打后出现异常，无法正常发光的芯片，高温老化实验产生了使其迅速损坏和复原的情况。

利用模拟软件SRIM2008计算了质子辐射对铌酸锂多功能集成光路器件(MIOC)的影响，结合质子辐射效应地面模拟试验的结果，分析比较了不同的质子辐射能量和注量对多功能集成光路器件的影响，给出了多功能集成光路器件质子辐射试验的数据和分析，讨论了多功能集成光路器件抗质子辐射的能力。

对第三代太阳电池的InGaP/GaAs双叠层模型结构进行了理论性改进，提出了将GaInNAs/GaAs量子阱结构生长于子电池GaAs的空间电荷区的模型，并对其子电池的吸收效率与量子效率进行了模拟计算，分析了此模型对提高叠层太阳电池的整体光电转换效率的可行性。

通过对传统结构LED出光分析，提出采用侧面粗化来提高GaN基LED出光效率的方法，使用蒙特卡罗光子追踪方法对器件出光效率进行了模拟。结果表明：粗化侧面为三角状、底角为55°时出光效率最高，随机粗化可以获得比固定角度粗化更高的出光效率，同时降低材料的吸收系数可以提高LED的出光效率，在吸收系数为10/cm时，经过粗化后的LED出光效率可以达到46.1%。模拟结果证明侧面粗化可以较大地提高LED的出光效率。

利用近空间升华法制备CdS多晶薄膜，同时将薄膜在400℃下进行Cl-掺杂。利用光电阻、暗电阻温度关系等测试手段分析不同波长光照及温度对掺杂前后薄膜电学性能的影响。结果显示：在不同波长的光照下，薄膜显示出不同的电阻值，最小电阻出现在500nm波长附近；在光、暗态转换过程中发现，掺杂对电阻弛豫时间影响较大，掺杂后最短响应时间由原来对应的青光向蓝光移动；掺杂后，薄膜光、暗电导增加,电导激活能减少。

利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统，在5.08cm(２英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同质外延层中的两种扩展缺陷——彗星缺陷和胡萝卜缺陷，研究了这两种缺陷的起源与消除方法。研究发现采用化学机械抛光(CMP)方法可以有效去除扩展缺陷，提高外延膜的质量。另外，提高衬底质量和优化生长条件也可以消除这两种扩展缺陷。

基于金属援助硅化学刻蚀机理，成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中，通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实：硅纳米线阵列的孔隙率依赖银纳米颗粒催化层的微结构，硅纳米线阵列的高度依赖于硅的刻蚀时间。这种形貌可控地制备单晶硅纳米线阵列的方法简单、有效，可用于构筑硅纳米线光伏电池等各种硅基纳米电子器件。

在经典力学框架内和Seeger方程基础上, 引入正弦平方势，把位错运动方程化为具有外力矩的摆方程。导出了弯结的形成能、弯结宽度、密度以及系统的激活能和弯结对的临界距离等物理量。指出位错在滑移面内的运动可视为弯结沿位错线的迁移与垂直方向的势垒翻越组成。

为了得到优化的扩散工艺，通过改变扩散时间来改变Ⅱ类单晶硅片电池发射区的掺杂浓度和结深，研究了扩散时间对太阳电池性能的影响。通过太阳电池单片测试仪(XJCM-9)测试电池性能。得到了实验条件下优化的扩散工艺，此工艺既考虑了短路电流，又兼顾到开路电压。最优扩散工艺参数为：扩散温度850℃，主扩时间和再分布时间分别为40min和15min。此时电池的开路电压、短路电流密度、填充因子和转换效率分别为657mV、33.57mA/cm2、74.36%和16.4%。优化扩散工艺制备的电池效率较原扩散工艺电池提高了约0.3%。

利用电化学阳极氧化法，通过控制电流密度和电解液的成分，在p型(100)硅衬底上制备了大孔的多孔硅结构，利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外荧光光度计研究了不同条件下制备的多孔硅样品的行貌特征、结构和发光性能。在此基础上进一步考察了对多孔硅样品进行氢氟酸浸泡刻蚀和阴极氢饱和处理对其发光性能的影响。讨论了后处理对多孔硅发光性能影响的机理。

在借助光刻等微电子工艺手段的基础上，通过控制交替变换的阳极氧化电流成功地制备出了阵列化的多孔硅一维光子晶体，然后在其表面沉积了一层500nm Si3N4用于改善其表面粗糙度，使该结构更好地应用于热释电红外传感器之中。通过傅里叶红外反射谱(FTIR)测试证明该样品有较好的光学反射性能，探索了将这种阵列化的多孔硅一维光子晶体应用于制备高性能红外热释电传感器衬底的可行性。

AlGaN在紫外器件(紫外探测器、紫外LED等)以及高速功率器件(HEMT等)方面有着非常重要的应用。提出利用HRXRD倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态，这对AlGaN材料的MOCVD外延生长具有重要的指导意义。

文章介绍了AZO/N+ Si欧姆接触特性的研究和AZO/N+ Si欧姆接触的制备新方法。实验发现AZO/N+ Si的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响，在最优的退火温度和时间条件下,测得最小比接触电阻为7.32×10-4Ω·cm2。它满足多晶硅太阳能电池的要求, 可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。

针对当前磁控溅射台存在真空自动准备和手动自动切换不完善等缺点，以DV602磁控溅射台为例，对其电控系统进行了改造。设计了以PLC为控制系统核心、以触摸屏为人机接口的电控系统，控制系统的可靠性和稳定性得到提高，且界面友好，操作方便。

复用技术能够利用现有的硬件设备和成熟技术，成倍地提高系统容量，已经成为高速空间光通信的重要技术手段。文章从提高信息传输速率的角度出发，研究了偏振复用、波分复用、时分复用、光MIMO以及正交频分复用五种复用技术在空间光通信应用的基本原理，并介绍了最新研究动态。对比分析了空间光通信中五种复用技术的优缺点，结果表明正交频分复用和光MIMO技术是实现空间光通信海量信息传输的有效途径之一，具有很大的发展潜力。

基于VCSEL激光器阵列，设计和制作了一种12信道的40Gbit/s甚短距离并行光发送模块。模块单信道传输速率大于3.5Gbit/s，12信道并行总传输速率高达40Gbit/s。并行光发送模块以其高速率、高集成度以及低成本等特点，为短距离高速率并行光传输提供最具竞争力的解决方案之一。

复杂多变的大气环境极易造成星地光链路的突发错误，交织RS码超强的抗突发能力能有效地纠正信息序列中的突发错误。文章综合考虑时延、交织深度、编码效率三个参数，对交织RS码进行优化设计，计算了固定交织深度下的最佳编码效率，仿真表明：交织RS码在衰落信道中能明显地提高通信系统的性能，当编码效率为1/2时，具有最大的抗突发能力。

对光分组交换中节点共享(SPN)的结构进行了理论分析，推导出SPN系统的丢包率公式，并对系统丢包率与负载、输入光纤端口数和每纤波长数的关系进行了数值计算。结果表明：当共享波长转换器的数目从0开始增加时，首先改善的是低负载的丢包率，当低负载的丢包率接近极限后，开始明显改善中负载的丢包率，最后改善高负载的丢包率。

InGaAs光敏元的暗电流是衡量探测器材料性能的一个重要指标。对于2.4μm延伸波长InGaAs，它的暗电流比1.7μm的要大2~3个数量级。文章简单介绍了InGaAs光敏芯片的暗电流、噪声和偏压的关系。光敏元的偏压越小，暗电流和噪声越小。侧重介绍了一种基于输入失调电压补偿的InGaAs暗电流抑制电路的结构。此电路有两种工作模式：失调电压补偿模式和不补偿模式。在补偿模式下，即使放大器两个输入端的失调电压达到28mV，光敏元两端电压通过补偿后可以降低到小于0.5mV。

设计了一种基于自主研发的576×96 TDI CCD芯片的相机。该CCD芯片共有96级TDI功能，因此相机级数12、24、48、96级可选，相机能在不同照度下清晰成像。经测试，该相机动态范围达(1V饱和输出)2767∶1、读出噪声小于2.22。

航空相机在拍照瞬间由于飞机的飞行运动和姿态变化而产生像移，要提高照相分辨率必须通过像移补偿来实现。 采用在相机与飞机间增设三轴稳定平台的机械式像移补偿法来补偿姿态像移和前向像移，三轴稳定平台的三轴按照与飞机姿态变化角速率相等、方向相反进行旋转补偿姿态像移，三轴稳定平台的俯仰轴以飞行方向反方向、角速率等于速高比旋转补偿前向像移，并采用坐标变换法计算像移补偿后的残差，通过分析面阵CCD 相机像面各点在进行像移补偿后的像移残差均小于1/3 像元,符合成像要求。

为了获取具有较大视场的图像数据，设计了一种基于线阵CCD的高分辨率周视图像实时采集系统。完成了系统各硬件电路的模块设计，并采用VHDL语言编程设计了TCD1209线阵CCD驱动时序及A/D转换等控制时序。提出了基于VC多线程技术的线阵CCD图像动态实时采集的新方法，并详细介绍了在Visual C++6.0 环境下，实时图像采集应用程序的实现过程。软硬件仿真与调试达到了预期的要求，完成了周视图像的实时采集，实验结果表明该方案具有一定的可行性。

针对光学成像卫星姿态大角度机动控制要求，在力矩受限的情况下，设计了一种模糊参数整定PID算法，通过模糊智能控制器的输出来对经典PID控制器的参数进行整定，并设计了适合的隶属度函数及论域，使模糊控制器的整定参数更趋近于适应控制情况要求。同时，结合验证非线性控制的幅相曲线稳定性判定定理，用多级继电函数来描述模糊控制器数学模型，证明文中的卫星姿态大角度机动模糊参数整定PID控制系统的稳定性。仿真结果表明，该智能控制算法有较好的控制性能和鲁棒性，其超调量为0.2%，控制指向精度为0.05°，稳定度为0.005°/s。在系统参数改变±50%时仍能渐进稳定。

新一代高功率固体激光装置前端系统大都采用先进的全光纤全固化技术路线，为了实现单模光纤系统长期稳定输出，需要对系统中的偏振态有针对性地进行控制。提出了一种主动偏振控制实现单模光纤系统低重复频率窄脉冲偏振稳定的方法。利用该技术开发的脉冲稳偏器在低重复频率(1Hz～1kHz)、窄脉冲宽度(1～10ns)的情况下，系统输出稳定性小于0.1dB，插入损耗小于3dB。所开发的脉冲稳偏器成功应用于第二代高功率固体激光装置前端系统中。该技术可广泛应用于窄脉冲、低重频系统中偏振态的主动控制。

针对光源与温控电路匹配问题，开展了光源组件特性的理论和试验研究，分析了影响两者匹配的原因及解决办法。研究结果表明：光源内部组件——半导体制冷器等效内阻RTEC、温控电流ITEC、TEC制冷/加热效率ε和热敏电阻温度系数β，是影响光源与温控电路匹配的主要因素；光源内部各组件特性受自身特性、工艺、散热条件和环境温度等多种因素影响，导致光源与温控电路的匹配也受相应因素影响；当散热充分时，光源与温控电路的匹配特征可近似用RTEC、β、SLD功率PSLD和ITEC表征；在接近光源实际散热条件下进行匹配测试，可提高光源与温控电路的匹配度，减少后期不匹配几率；不同批次、不同厂家生产的光源的组件特性差异较大，重新匹配和调整温控电路参数，可大幅提高光源利用率。

激光隐身技术可以降低目标在激光工作波长处的反射特性，从而削弱敌方激光探测设备的探测能力,有效保护己方目标。对目标的激光隐身效果进行评估，对于激光隐身技术的发展和应用具有重要作用，激光雷达截面(LRCS)是描述目标对入射激光散射能力的物理量，根据战场激光信号的特点，提出利用目标隐身前后，目标激光雷达截面在不同反射方向的变化来描述激光隐身效果，对于处于研发阶段的隐身效果评估，以未隐身目标作为评估基准；对于处于应用阶段的隐身效果评估，以标准漫反射板作为评估基准，从而实现对目标激光隐身效果评估。该评估方法可以全面考核描述激光隐身效果，具有较好的操作性。

对构成法布里珀罗腔(FP腔)的光纤布喇格光栅的传输特性进行了分析，推导了FP腔的光强透射率和反射率的解析表达式。将FP腔内一个光纤布拉格光栅的背面贴一压电陶瓷，通过给压电陶瓷施加扫描电压使透过FP腔的光的波长发生改变。光纤光栅受应力、应变及温度的影响时，其反射波长要发生相应变化，当探测器探测到最大光强时，根据给压电陶瓷施加的电压变化量就可确定布喇格光栅反射波长的移位量，测量精度可达到0.01nm。

针对无特征标志点的大场景多视点云数据，提出了一种新的基于SIFT特征的配准和拼接算法。 算法提出了有效纹理图像的概念，并对有效纹理图像进行SIFT特征提取和匹配；然后将提取的SIFT特征点和匹配关系反射到三维点云数据，获取多视点云数据的特征点和匹配关系，完成多视点云数据的拼接。算法在有效纹理图像中提取和匹配特征点，排除了点云数据中孔洞和无效数据的干扰，并且算法只利用较高鲁棒性的特征点对进行拼接，计算简单，匹配精度和效率都得到提高。对室内和室外两个大场景的2个视点数据进行实验，实验结果证明拼接速度和精度都有较大的提高。